Підкладка GaAs
опис
Арсенід галію (GaAs) є важливим і зрілим напівпровідником групи III-Ⅴ, він широко використовується в галузі оптоелектроніки та мікроелектроніки.GaAs в основному поділяється на дві категорії: напівізоляційний GaAs і GaAs N-типу.Напівізоляційний GaAs в основному використовується для створення інтегральних схем зі структурами MESFET, HEMT і HBT, які використовуються в радарах, мікрохвильових і міліметрових хвилях зв'язку, надшвидкісних комп'ютерах і оптоволоконних комунікаціях.GaAs N-типу в основному використовується в LD, LED, лазерах ближнього інфрачервоного діапазону, потужних лазерах із квантовою ямою та високоефективних сонячних елементах.
Властивості
| Кристал | Легований | Тип провідності | Концентрація потоків см-3 | Щільність см-2 | Метод зростання |
| GaAs | Жодного | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Визначення підкладки GaAs
Підкладка GaAs відноситься до підкладки, виготовленої з кристалічного матеріалу арсеніду галію (GaAs).GaAs — складний напівпровідник, що складається з елементів галію (Ga) і миш’яку (As).
Підкладки GaAs часто використовуються в галузях електроніки та оптоелектроніки завдяки своїм відмінним властивостям.Деякі ключові властивості підкладок GaAs включають:
1. Висока рухливість електронів: GaAs має вищу рухливість електронів, ніж інші поширені напівпровідникові матеріали, такі як кремній (Si).Ця характеристика робить підкладку GaAs придатною для високочастотного високопотужного електронного обладнання.
2. Пряма заборонена зона: GaAs має пряму заборонену зону, що означає, що під час рекомбінації електронів і дірок може відбуватися ефективне випромінювання світла.Ця характеристика робить підкладки GaAs ідеальними для оптоелектронних застосувань, таких як світлодіоди (світлодіоди) і лазери.
3. Широка заборонена зона: GaAs має ширшу заборонену зону, ніж кремній, що дозволяє йому працювати при вищих температурах.Ця властивість дозволяє пристроям на основі GaAs працювати більш ефективно в середовищах з високими температурами.
4. Низький рівень шуму: GaAs підкладки мають низький рівень шуму, що робить їх придатними для малошумних підсилювачів та інших чутливих електронних застосувань.
Підкладки GaAs широко використовуються в електронних і оптоелектронних пристроях, включаючи високошвидкісні транзистори, мікрохвильові інтегральні схеми (ІС), фотоелектричні елементи, детектори фотонів і сонячні елементи.
Ці субстрати можна підготувати за допомогою різних методів, таких як металоорганічне хімічне осадження з парової фази (MOCVD), молекулярно-променева епітаксія (MBE) або рідкофазна епітаксія (LPE).Конкретний метод вирощування залежить від бажаного застосування та вимог до якості підкладки GaAs.
