-
Субстрат PMN-PT
1. Висока гладкість
2. Високе узгодження решітки (MCT)
3. Низька щільність дислокації
4. Висока пропускна здатність інфрачервоного випромінювання -
Субстрат BSO
1. Фотоелектричний
2. Фотопровідні
3. Світлофракція
4. П'єзоелектричні
5. Акустооптичний
6. Осліплення та фарадеївське обертання
-
Субстрат MgF2
1. Хороша передача
-
Підкладка SrTiO3
Високотемпературна надпровідність
-
Субстрат CZT
Висока гладкість
2. Високе узгодження решітки (MCT)
3. Низька щільність дислокації
4. Висока пропускна здатність інфрачервоного випромінювання -
Субстрат GGG
1. Хороші оптичні, механічні та термічні властивості
-
Підкладка SiC
Висока гладкість
2. Високе узгодження решітки (MCT)
3. Низька щільність дислокації
4. Висока пропускна здатність інфрачервоного випромінювання -
Субстрат KTaO3
1. Структура перовскіту та пірохлору
2. Надпровідні тонкі плівки
-
Підкладка GaAs
1. Висока гладкість
2. Високе узгодження решітки (MCT)
3. Низька щільність дислокації
4. Висока пропускна здатність інфрачервоного випромінювання -
Субстрат MgO
1. Дуже мала діелектрична проникність
2. Втрати в діапазоні мікрохвиль
3.Доступний для великого розміру
-
Ge підкладка
1.Sb/N легований
2. Без допінгу
3.Напівпровідник
-
Субстрат YAP
1. Відмінні оптичні та фізичні властивості
